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[分享] 业界顶级高效率30~40ns与软开关兼备的650V耐压IGBT RGTV/RGW,...

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发表于 2019-5-6 12:41:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

2018年4月17日,全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗和高速开关特性的650V耐压IGBT"RGTV系列(短路耐受能力)保持版)"和"RGW系列(高速开关版)",共21种机型。这些产品非常适用于UPS(不间断电源)、焊接机及功率控制板工业设备、空调、IH(感应加热)等消费电子产品的通用变频器及转换器的功率转换。



此次开发的新系列产品采用薄晶圆技术及ROHM独有结构,在具有权衡关系的低导通损耗和高速开关特性方面,获得了业界顶级的性能。例如,在交错式PFC电路中使用时,与以往产品相比,轻负载时效率提升1.2%,重负载时效率提升0.3%,有助于进一步降低应用的功耗。另外通过元器件内部的优化,实现了顺畅的软开关。与同等效率的普通产品相比,成功减少50%电压过冲,从而减少以往需要用来对策的部件数量,可显著减轻设计负担。


耐压IGBT RGTV/RGW系列实物图


近年来,随着IoT进程带来的数据量増加,对数据中心高性能化的要求越来越高。不仅服务器本身,包括进行主体电源稳定供给所不可欠缺的UPS等在内,系统整体的功耗量显著增加,进一步降低功耗已成为重要课题。


另外,在使用IGBT的大功率应用中,为确保设备的可靠性,必须对可引发元器件故障或设备误动作的开关时的过冲采取措施,简化需求日益迫切。



耐压IGBT RGTV/RGW系列特长:

1.实现业界顶级的低传导损耗和高速开关性能

在本新系列产品中,利用薄晶圆技术使晶圆厚度比以往产品再薄15%,另外采用ROHM独创的单元微细化结构,成功实现业界顶级的低导通损耗(VCE(sat)=1.5V)和高速开关特性(tf=30~40ns)。



2.实现软开关,减轻设备的设计负担

通过元器件内部优化,实现了ON/OFF顺畅切换的软开关。由此,开关时产生的电压过冲与普通产品相比减少了50%,可减少用来抑制过冲的外置栅极电阻和缓冲电路等部件数量。使用IGBT时,应用端不再需要以往需要的过冲对策,有利于减轻设计负担。



耐压IGBT RGTV/RGW系列产品阵容:

产品阵容又新增了以"短路耐受能力保持2μs"为特点的RGTV系列和以"高速开关性能"为特点的RGW系列,能够支持更广泛的应用。

TO-247N
TO-3PFM

IGBT单体
内置FRD
IGBT单体
内置FRD

30A
RGTV60TS65
RGTV60TS65D
RGTV60TK65
RGTV60TK65D
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RGTV00TS65D
RGTV00TK65
RGTV00TK65D
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★ RGTVX6TS65D
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RGW80TK65        RGW80TK65D
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RGW00TS65        RGW00TS65D


[td]RGW00TK65        RGW00TK65D
[/td]耐压IGBT RGTV/RGW系列应用:


工业设备(UPS(不间断电源)、焊接机、功率控制板等)、空调、IH(感应加热)等


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