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ROHM推出的BS2130F-G是一款单片桥式驱动器IC，可通过自举操作驱动三相系统中的N沟道功率MOSFET和IGBT驱动器。 浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。 逻辑输入可以使用3.3V和5.0V。 为了提供保护电路，该器件包括欠压锁定（UVLO）电路和过流保护（OCP）电路。 当VCC和VBS低于指定的阈值电压时，UVLO电路可防止发生故障。
BS2130F-G单片桥式驱动器IC特征 ● 用于自举操作的浮动通道至+ 600V ● 栅极驱动电压范围为11.5V至20V ● 两个通道的内置欠压锁定 ● 该器件包括过流保护电路 ● 内置使能通道（EN），可启用I / O功能 ● 内置FAULT通道（/ FAULT），指示过流和欠压 ● RCIN通道可以通过外部电阻和电容确定OCP保持时间 ● 3.3V和5.0V输入逻辑兼容 ● 与输入同相输出 BS2130F-G单片桥式驱动器IC主要规格 ● 高端浮动供电电压：600V ● 输出电压范围：11.5~20V ● 最小输出电流Io + / Io-：200mA / 350mA（典型值） ● OCP检测电压0.46V（典型值） ● OCP消隐时间150ns（Typ） ● 开启/关闭时间：630 / 580ns（典型值） ● 偏置电源漏电流：50μA（最大值） ● 工作温度范围：-40°C~ + 125°C 封装 W（典型值）x D（典型值）x H（最大值） SOP-28 18.50mm x 9.90mm x 2.41mm  BS2130F-G单片桥式驱动器IC应用 MOSFET和IGBT高端驱动器应用 BS2130F-G单片桥式驱动器IC典型应用电路
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发表于 2019-5-11 10:11:52
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