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BM60212FV-C是ROHM集团推出的汽车级高压型高边/低边栅极驱动器，在自举方式下最高工作电压可支持1200V，能够驱动N沟道功率MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）以及IGBT（绝缘栅双极型晶体管），其内置欠压锁定功能以及米勒钳位功能，该栅极驱动器非常适合用于驱动MOSFET或IGBT。 
图1 BM60212FV-C栅极驱动器实物图
BM60212FV-C工作温度范围为-40 °C~+125 °C，可应对非常苛刻的温度环境；其高边浮动电源电压可达1200V，栅极驱动电压最高24V，关断时间最大75ns，逻辑输入最小脉冲宽度为60ns。此外，其还符合AEC-Q100标准（1级），具有有源米勒钳位功能、欠压锁定功能，兼容3.3V/5.0V输入逻辑。BM60212FV-C采用SSOP-B20W封装（6.50mm x 8.10mm x 2.01mm），具有20个引脚，图2所示为BM60212FV-C引脚图。 
图2 BM60212FV-C栅极驱动器引脚图
图3 BM60212FV-C栅极驱动器典型应用电路
图3所示为BM60212FV-C栅极驱动器典型应用电路，可以看出BM60212FV-C内部含有欠压锁定（UVLO）、脉冲发生器、前置驱动器等电路；VCCA、VCCB、VREG对地分别接有电容CVCCA、CVCCB、CVREG，对应典型值分别为1.0µF、1.0µF、3.3µF；GND2/GND1为高边/低边接地引脚，INA/INB为高边/低边控制输入引脚，其他引脚定义说明见图4。
图4 BM60212FV-C栅极驱动器引脚定义说明
BM60212FV-C高压型高边/低边栅极驱动器产品特性： • 高边浮动电源电压可达1200V • 栅极驱动电压：24V（最高） • 工作电压范围：+ 1.8V至+ 5.5V • 关断时间：75ns（最大） • 逻辑输入最小脉冲宽度：60ns • 符合AEC-Q100标准（1级） • 具有有源米勒钳位功能、欠压锁定功能 • 兼容3.3V/5.0V输入逻辑 • 工作温度范围：-40°C ~+125°C • 封装类型：SSOP-B20W（6.50mm x 8.10mm x 2.01mm）
BM60212FV-C高压型高边/低边栅极驱动器应用领域： • MOSFET栅极驱动器 • IGBT栅极驱动器
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发表于 2019-5-20 13:40:41
