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[分享] 内存4K的串行EEPROM,七种封装形式,满足多种空间条件

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发表于 2019-8-6 10:17:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

罗姆半导体集团(ROHM Semiconductor)作为全球最知名的半导体厂商一直致力于半导体领域,近期推出了BR24G04-3A系列高性能串行EEPROM存储器产品,其型号分别为BR24G04-3A,BR24G04F-3A,BR24G04FJ-3A,BR24G04FVJ-3A,BR24G04FVM-3A,BR24G04FVT-3A,BR24G04NUX-3A,全系内存大小为4K(512*8bit),分别采用DIP-T8,SOP8 ,SOP-J8,TSSOP-B8,TSSOP-B8J,MSOP8,VSON008X2030的封装形式,体积小,重量轻,组装密度高,易于实现自动化生产。


图一:BR24G04-3A系列EEPROM产品外观图


BR24G04-3A系列EEPROM存储器具有1.6V~5.5V的宽操作电压范围,对电压波动具有很强的适应性,避免的由于电网传输不稳定带来的影响。该产品可在-40°C ~85°C的环境温度下运行,同时,可储存在-65°C ~150°C的环境温度中,能够适应大多数工况条件,适用于需要高可靠性的工业产品。


BR24G04-3A系列EEPROM,所有控制均由2个串行时钟(SCL)和串行数据(SDA)端口提供,并且除EEPROM之外的其他设备可以连接到同一个端口,从而节省了微控制器端口;除此之外,该产品具有自定时编程循环,具有极低的电流消耗以及防止误写入功能;同时具有超过100万个写入周期和长达40年以上的数据保存时效,保障该产品能够充分胜任要求苛刻的工业、医疗和通信领域。


BR24G04-3A系列EEPROM存储器产品主要特性:

•1.6V~5.5V单电源,适合电池使用

•1MHz运行频率(1.7V~5.5V)

•高达16字节的页写入模式

•自定时编程循环

•低电流消耗

•防止误写入

--写入(写入保护)功能

--防止低电压写入错误

•超过100万个写入周期

•40年以上的数据保存时效

•SCL/SDA端子内置噪声滤波器

•存储器初始数据=FFh


BR24G04-3A系列EEPROM存储器典型应用:

•工业产品

•医疗产品

•通信产品


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