VD-MOSFET导通电阻分析

悲伤的丑小鸭

MOSFET导通电阻分析

对于MOSFET，欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻，对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。

Mosfet中电流通路和电阻

分析内阻的功率VD-MOSFET结构电流图

RON= RCS +RN++RCH+RA+RJFET+RD+RSUB+RCD

1）源接触电阻RCS：N+源区与源电极（S）之间的接触电阻；

ρC：元胞结构内每个N+源区的接触电阻；

WC：接触口窗口宽度；

WS：N+源区离子注入窗口宽度；

Z：图中横截面垂直方向的元胞长度；

通常采用低势垒的金属接触，比如钛或者钛硅化物来降低特征接触电阻。

2）源区电阻RN+：电流从接触孔进入N+源区到达沟道之前必须沿源区流过；

3）沟道电阻RCH：

4）积累电阻RA：

5）JFET电阻RJFET：

6）漂移区电阻RD:

7）N+衬底电阻RSUB：

8）漏接触电阻RCD：

通常采用低势垒的金属接触，钛作为接触层，镍作为阻挡层，银层作为焊料层。

VD-MOSFET总导通电阻统计：

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wudianjun2001

不错的资料

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