通过驱动器源极引脚将开关损耗降低约35%

管理-小R · 发表于 2020-4-29 14:39:40

Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。它与以往驱动电路（Figure 2）之间的区别只在于驱动电路的返回线是连接到驱动器源极引脚这点。请看与您之前看到的Figure 2之间的比较。

从电路图中可以一目了然地看出，包括VG在内的驱动电路中不包含LSOURCE，因此完全不受开关工作时的ID变化带来的VLSOURCE的影响。

如果用公式来表示施加到内部芯片的电压VGS_INT的话，就是公式（2）。当然，计算公式中没有3引脚封装的公式（1）中存在的LSOURCE相关的项。所以，4引脚封装MOSFET的VGS_INT仅受RG_EXT和IG引起的电压降VRG_EXT的影响，而且由于RG_EXT是外置电阻，因此也可调。下面同时列出公式（1）用以比较。

－能给我们看一下比较数据吗？

这里有双脉冲测试的比较数据。这是为了将以往产品和具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET的开关工作进行比较，而在Figure 5所示的电路条件下使Low Side（LS）的MOSFET开关的双脉冲测试结果。High Side（HS）是将RG_EXT连接于源极引脚或驱动器源极引脚，并仅使用体二极管换流工作的电路。

了解更多请点击通过驱动器源极引脚将开关损耗降低约35%

有奖问答：在导通数据中，原本2,742µJ的开关损耗变为1,690µJ，损耗减少了约___%。（提示：点击链接，要点里面找答案，答对即可得5ROHM金币）

阅读全文