第三代半导体已经成为众多IGBT厂商的主攻方向

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第三代半导体即将写入“十四五”，功率半导体前景广阔，以碳化硅材料为代表的新一代IGBT器件，正在迎接巨大的市场机遇。目前，IGBT国产代替进口十分紧迫，国内资本和企业纷纷布局，发起新一轮攻势。而比亚迪作为国内车规级IGBT的领先者，正在开启新一轮计划。

比亚迪在新能源汽车、动力电池、IGBT、云轨、消费电子等行业中均处于领先地位，其中，比亚迪半导体在上半年真正进入大众视野。近日，比亚迪在最新发布的《投资者关系活动记录表》中透露，将加快推进比亚迪半导体分拆上市工作，并着手培育更多具有市场竞争力的子公司实现市场化运营，不断提升公司整体价值。

早在５月份时，比亚迪半导体成功引入19亿元战略投资，随后不久又增资8亿元，两轮资融资共27亿元，引入了超过30家机构。在两次引资之前，比亚迪半导体估值为75亿，现在公司估值超过百亿，离上市已经不远

不只是IGBT，全产业链覆盖

比亚迪半导体已成为国内自主可控的车规级IGBT领导厂商，目前，比亚迪半导体研发的车规级IGBT已经发展到第四代水平，在汽车领域市场占比20％左右，仅次于排在全球第一的英飞凌。比亚迪半导体实现了IGBT的设计、研发、制造及服务，已经成为领先的半导体IDM企业。

比亚迪IGBT

比亚迪是唯一一家拥有IGBT完整产业链的车企，与自汽车、消费和工业领域的客户有长期紧密的业务联系。比亚迪半导体的IGBT除了用于汽车行业，在工业级IGBT领域也有一定的应用，下游应用包括工业焊机、变频器、家电等，将为其带来新的增长点。

实际上，比亚迪半导体产品不只是IGBT，根据资料显示，业务覆盖功率半导体、智能控制IC、智能传感器及光电半导体的研发、生产及销售，拥有包含芯片设计、晶圆制造、封装测试和下游应用在内的一体化经营全产业链。

2007年进入MCU领域，从工业级MCU到车规级MCU的突破发展，至今比亚迪半导体拥有工业级通用MCU芯片、工业级三合一MCU芯片、车规级触控MCU芯片、车规级通用MCU芯片以及电池管理MCU芯片，累计出货突破20亿颗。

目前，在绝缘栅双极晶体管IGBT、碳化硅SiC、微控制单元MCU等领域，比亚迪半导体打破了外国厂商在这些领域的垄断。

MCU

未来，比亚迪半导体将以车规级半导体为核心，同步推动工业、消费等领域的半导体发展，致力于成长为高效、智能、集成的新型半导体供应商。

下一代半导体，重构竞争格局

比亚迪从2005年开始研发IGBT，到2009年推出国内首款自主研发IGBT芯片，打破国外企业的技术垄断，2018年推出的IGBT 4.0芯片，成为国内中高端IGBT功率芯片新标杆，目前以IGBT为主的车规级功率器件累计装车超过100万辆。

在今年成功引入战略资本后，比亚迪将加大研发投入，积极部署下一代半导体材料碳化硅 SiC。目前，公司已经成功开发了碳化硅金氧半场效晶体管 SiC Mosfet，预计将继续使整车的性能提高10%左右。

工业级IPM

下一代半导体即第三代半导体，以基于碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料为主，具有耐高压、高温和高频的特点，在高性能功率半导体上显出优势，随着碳化硅产品的性能不断提升，其应用场景也随之扩大，例如风电、高铁、特高压等领域。

实际上，比亚迪半导体一直坚持在碳化硅方面研发，和传统产品相比，碳化硅生产出来的芯片尺寸更小、功率器件效率更高。对于新能源汽车来说，SiC MOSFET可使得电机驱动控制器体积更小，从而进一步提升电动汽车的整体性能。

目前，比亚迪已经在旗舰车型“汉”使用了碳化硅功率器件，作为国内首款批量搭载SiC功率模块的车型，SiC电控的综合效率高达97%以上，整车的动力性、经济性表现非常出众。

第三代半导体已经成为众多IGBT厂商的主攻方向，碳化硅的优异性能表现，使得IGBT发挥出更大的效率水平，产品获得更高的功率密度。随着第三代半导体进一步发展突破，未来将有更多的可能，率先布局的厂商有望弯道超车，世界竞争格局也可能改变。

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