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[签到] -每日话题-采用具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET

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精华

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发表于 2021-3-24 09:03:13 | 显示全部楼层 |阅读模式
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今日话题:采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET


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精华

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2023-11-24
发表于 2021-3-24 09:31:41 | 显示全部楼层

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采用具备“驱动器源极”引脚的功率元器件封装。通过配备将源极引脚和栅极驱动环路分开的驱动器源极引脚,可以消除导通时的源极电感(LS)对栅极电压的影响,因此不会因电压降而降低导通速度,从而可以大大减少导通损耗。
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  • TA的每日心情
    开心
    2022-3-22 00:15
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    [LV.9]

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    精华

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    发表于 2021-3-24 10:38:48 | 显示全部楼层

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    来学习下
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    发表于 2021-3-24 10:55:05 | 显示全部楼层

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    采用具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET
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  • TA的每日心情
    奋斗
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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2021-3-24 10:56:46 | 显示全部楼层

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    SiC MOSFET
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    发表于 2021-3-24 10:57:39 | 显示全部楼层

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    解决这种问题的方法之一是采用具备“驱动器源极”引脚的功率元器件封装。通过配备将源极引脚和栅极驱动环路分开的驱动器源极引脚,可以消除导通时的源极电感(LS)对栅极电压的影响,因此不会因电压降而降低导通速度,从而可以大大减少导通损耗。
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    发表于 2021-3-24 10:57:40 | 显示全部楼层

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    在本文中,我们确认了SiC MOSFET采用具备驱动器源极引脚的低电感表贴封装所带来的性能优势。研究结果表明,尤其是在大电流条件下,由于栅极环路不受dI/dt以及源极引脚电感导致的电压降的影响,因此采用表贴封装的产品导通损耗大大降低。封装电感的总体减小还使得SiC MOSFET的关断速度加快。这两个优点显著降低了器件导通和关断时的开关损耗。
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    2023-12-18
    发表于 2021-3-24 12:55:33 | 显示全部楼层

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    采用具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET
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    发表于 2021-3-24 13:20:35 | 显示全部楼层

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    大电流条件下,用表贴封装的产品导通损耗大大降低
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    发表于 2021-3-24 19:14:26 | 显示全部楼层

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    采用具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET
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