为了给工程师持续输出优质又便捷的学习内容, 万众瞩目的罗姆R课堂第六期又与大家见面啦!!!本期迎来的重磅嘉宾是SiC MOSFET,鼓掌,撒花!!!
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近年来,随着AI和IoT的发展和日益普及,对云服务的需求不断增长。与此同时,全球范围对数据中心的需求也随之增加。数据中心所使用的服务器正在向大容量、高性能方向发展,而如何降低功耗量就成为一个急需解决的课题。另一方面,以往服务器的功率转换电路中,主要采用的是硅(Si)元器件,后来,损耗更低的SiC元器件被寄予厚望。
2015年,ROHM于全球第一家成功实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产,并一直致力于领先于行业的产品开发,更是于2019/2020年都推出了多款SiC MOSFET产品,实现了品质和功能上的飞跃。未来也会继续推进创新型元器件的开发,同时提供包括非常适用于SiC驱动的栅极驱动器IC等在内的解决方案,为进一步降低各种设备的功耗贡献力量。了解罗姆SiC MOSFET,资料知识不能少~ l l 前言 除了资料干货,当然也少不了答题~人人有奖哦~(单个用户只能中奖一次) 怎么参加?往下看 学习上方资料并答题,即可参加活动~
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题目: 1. 下图中的A和B分别表示什么?() A.A:HS、B:HS B.A:LS、B:LS C.A:HS、B:LS D.A:LS、B:HS
2. 题1中的电路是使用SiC MOSFET时最简单的哪种电路?() A. 同步式boost电路 B.异步式boost电路 C.同步式buck电路 D.异步式buck电路
3. 下图中哪个表示死区时间?() A.T1 B.T2 C.T3 D.以上答案都不是
4. 下图是最基本的栅极驱动电路和SiC MOSFET的等效电路,其中的ABC分别表示什么?() A.A:SourceB:Gate C:Drain B.A:GateB:Drain C:Source C.A:DrainB:Gate C:Source D.A:DrainB:Source C:Gate
5. 该波形图中的ABC分别表示什么?( ) A.A:GateSignal B:Drain-Source Voltage C:Drain Current B.A:GateSignal B:Drain Current C:Drain-Source Voltage C.A:DrainCurrent B:Drain-Source Voltage C:Gate Signal D.A:Drain-SourceVoltage B:Drain Current C:Gate Signal
6. 上图中,以下哪个说法是正确的() A.T3: LS为ON时的时间段 B.T7: HS为ON的时间段(同步整流时间段) C.T5: LS为OFF时、MOSFET电流变化的时间段 D.以上说法都正确 来源:SiC MOSFET的桥式结构_罗姆电源设计R课堂 (rohm.com.cn)
7. 根据该电路图,以下说法错误的是?() A.该电路是SiC MOSFET桥式结构的同步式boost电路 B.该电路是HS导通的情况 C.
D.
8. 根据该波形图,以下说法正确的是?() A.RG_EXT越小,由事件(I)引起的VGS下降就越大 B.要想降低诱发LS导通时HS误启动的事件(II)-2的VGS升程,就需要减小HS关断时的外置栅极电阻RG_EXT C.当减小RG_EXT时,LS的dVDS/dt将增加 D.以上说法都正确
9.根据该波形图,以下说法错误的是?()
A.要想减少这种关断时的HS负浪涌,需要减小HS栅极电阻RG_EXT B.HS中事件(IV)引起的负浪涌通常不会超过额定值 C.由VDS的变化引起的事件(IV)的影响很小 D.事件(V)的浪涌非常明显
10. 以下关于SiC MOSFET:桥式结构中栅极-源极间电压的动作,说法正确的是() A.Turn-on时和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同 B.HS产生的负浪涌可能会超过额定值 C.作为解决误启动问题的对策,可以采用减小外置栅极电阻值的方法,但是需要设法仅减小HS关断时的栅极电阻,以免影响其他动作 D.以上说法都正确
11. 根据该电路图,以下说法错误的是?() A.事件(I)、(VI) → 漏极电流的变化(dID/dt) B.事件(II)、(IV) →漏极-源极电压的变化(dVDS/dt) C.虚线是有浪涌影响的波形 D.事件(III)、(V) →漏极-源极电压的变化结束
12.以下说法正确的是() A.以下说法都错误 B.完全不需要担心SiC功率元器件LS导通时在非开关侧(HS)出现的正浪涌问题 C.开关侧不会出现SiC功率元器件中栅极-源极电压(VGS)的正浪涌 D.应用SiC功率元器件时,无需考虑浪涌
13. ROHM Solution Simulator有什么优点?() A.在线仿真工具,只要注册MyROHM即可使用 B.提供以常用电路为主的大量“Solution Circuit”,有助于提高应用产品的开发速度 C.拥有SVC帐户,就可以在您自己的SVC环境中使用仿真数据。 D.以上说法都正确
14. ROHM能够提供哪些支持工具?(多选) F.以上说法都正确
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