知识擂台赛-罗姆答题你最行
为了持续给工程师输出优质又便捷的学习内容, 罗姆R课堂第七期在5月拉开序幕!!!回顾一下最新一期的R课堂,为大家详细介绍了“SiC MOSFET”的相关内容,相信大家收获颇丰~ 此次R课堂将换个视角,聚焦优质话题“如何提升相移全桥电路的功率转换效率”,感兴趣的话就继续往下看下去吧~ 如大家所知,在SJ MOSFET的效率对比中,PrestoMOS™是效率最好的。同时要想提高使用了SJ MOSFET的PSFB电路的效率,重要的是要选择trr尽可能小、开关特性优异的SJ MOSFET。那么如何提升相移全桥电路的功率转换效率?让我们先来看看相关资料~ 相关指南: 怎么参加?往下看 学习上方资料并答题,即可参加活动~ 活动时间:05.13-05.26 活动形式:围绕资料,小R每天出题,每题两次回答机会。用户回帖答题,全部回答正确即可获得30罗姆豆/天(罗姆豆有何用??先去转盘看一看) 转盘奖品展示: 一等奖:加湿器x1 二等奖:手持USB风扇x2 三等奖:32GB U盘x3 四等奖:运动水杯x4 五等奖:10元京东券x5 六等奖:7 ROHM金币(数量不限) 七等奖:5罗姆豆(数量不限) 题目: 1.该时序图从下至上,标注正确的是? A.Q1,Q2,Q3,Q4 B.Q4,Q3,Q2,Q1 C.Q2,Q3,Q1,Q4 D.Q1,Q4,Q3,Q2
2.该图中,以下表述正确的是? A.红色是Q4的漏极电流 B.绿色是Q1的漏极电流 C.浅蓝色是流过一次侧变压器的电流 D.以上均不对
3.在<PSFB电路的基本工作>中,一共介绍了几种MODE模式? A.14 B.10 C.6 D.12
4.根据下图,以下说法正确的是? A.实线:DeadTime已优化 B.虚线:DeadTime未优化 C.轻负载的滞后臂MOSFET导通简图 D.以上均正确
5.以下说法正确的是? A.在Dead Time未优化的情况下,会瞬间流过很大的漏极电流ID。 B. MOSFET的CGD和CGS的某些电容比可能会导致流过直通电流,因此选择该电容比适当的MOSFET很重要。 C. 轻负载时,电流小,LS中积蓄的能量少,因此很有可能在COSS的充放电完成之前就开始开关工作,致使ZVS工作无法执行,容易发生MOSFET的导通损耗。 D.以上均正确
6.根据下图,以下说法正确的是? A.t1~t5: MOSFET导通,处于导通状态的时间段。 B.t0~t1:体二极管导通的时间段。 C.t3~t4:从MOSFET的输出电容放电,正向电流开始流过体二极管。 D.t5~t6:体二极管流过反向恢复电流的时间段。 trr越长,这个时间段就越长。
8.下图中效率最高的是?
A.MOSFET A B.MOSFETB C.MOSFET C D.ROHM R6020JNX
9.对于ROHM R6020JNX以下说法正确的是? A.高速trr B.优化的寄生电容 C. 最新一代的PrestoMOS™ D.以上均正确
10.在SJ MOSFET的效率对比中,效率最好的是? A.MOSFET C B.ROHM PrestoMOS™ C.MOSFET A D.MOSFET B
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