【R课堂】负电压浪涌对策

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继上一篇“正电压浪涌对策”之后，本文将会通过示例来看针对负电压浪涌的对策及其效果。

关于SiC功率元器件中栅极－源极间电压产生的浪涌，在之前发布的Tech Web基础知识 SiC功率元器件 应用篇的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”中已进行了详细说明。

负电压浪涌对策

右图显示了同步升压电路中LS关断时栅极－源极电压的行为，该图在之前的文章中也使用过。要想抑制事件（IV），即HS（非开关侧）的VGS的负浪涌，正如在上一篇文章“浪涌抑制电路”的表格中所总结的，采用浪涌抑制电路的米勒钳位用MOSFET Q2、或钳位用SBD（肖特基势垒二极管）D3是很有效的方法（参见下面的验证电路）。

下面的电路是上一篇中用来验证正浪涌对策的抑制电路。使用“（a）无抑制电路、（b）仅有米勒钳位用的MOSFET（Q2）、（c）仅有钳位用的肖特基势垒二极管、（d）仅有误导通抑制电容器C1”这四种电路，通过“双脉冲测试”确认了VGS的浪涌电压。

下面是双脉冲测试中关断时的波形、从上到下依次显示了开关侧栅极－源极电压（VGS_HS）、非开关侧栅极－源极电压（VGS_LS）、漏极－源极电压（VDS）和漏极电流（ID）。图中一并列出了前述的抑制电路（a）、（b）、（c）、以及同时具备抑制电路（b）和（c）的电路（e）的波形。

有奖问答：从这个波形图中可以看出，除了没有对策电路的       外，其他任何一个抑制电路都可以消除负浪涌。

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