【R课堂】SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作 ...

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SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作　总结

到目前为止，已经以“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source间电压的动作”为题，用了六个篇幅介绍了以大电流执行高速开关的桥式结构中可能出现的栅极电压的动作。

由于SiC MOSFET的动作相互之间没有关联，因此桥式结构中SiC MOSFET的栅极电压非常复杂。此外，栅极驱动电路的条件不同其动作也有显著差异。

例如，即使电路方式、所使用的SiC MOSFET以及其他部件相同，也可能因仅仅更改了电路板或布线布局而表现出完全不同的动作。也可以说应该重点关注“动作因电路板和布线的不同而显著不同”这点，在电路板或布局不同的情况下，如果因为电路具有良好的记录而忽略了评估，将会造成严重的后果。

了解了这里提到的基本工作和波形动作机制，将有助于处理在实际设计过程中遇到的问题。这次使用的示例是一个对LS SiC MOSFET进行开关的升压电路，不过在对HS SiC MOSFET进行开关的降压电路中，仅仅是LS和HS的替换，动作是相同的。

下面汇总了每篇文章的链接。

“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source间电压的动作”

▶前言

▶SiC MOSFET的桥式结构

▶SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作

▶桥式电路的开关产生的电流和电压

▶低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作

▶低边开关关断时的Gate-Source间电压的动作

有奖问答：因此，可以作为使用__________的各种电路拓扑中的基本思想来应用。

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