【R课堂】SiC MOSFET栅-源电压测量：测量位置的选择

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SiC MOSFET栅-源电压测量：测量位置的选择

在实际观测DUT的波形时，可能很多人会将探头等安装到易于测量的位置。这是因为DUT通常带有散热器等，很难直接测量DUT的引脚，或者在通孔安装的情况下，容易将PCB背面突起的DUT引线直接用作测试引脚。因此，可以测量的位置受产品结构的影响很大，并非总是可以在最佳的位置进行测量。为了确认这种影响，我们将在以下三个位置（c和d的位置相同）进行测量和比较。图9为测量位置示意图。

(a) DUT引脚最靠近封装的部位（引脚根部）
(b) DUT引脚在PCB上的焊接部位
(c) 焊接在PCB上的定位销钉

(d) 焊接在PCB上的定位销钉+绞合线+100Ω电阻

图9. 测量位置

（a）是DUT引脚最短的位置，（b）是电路板焊接面上的引脚焊接部位，（c）是在DUT附近预先准备的定位销钉。（d）与（c）的位置相同，但（d）焊接了绞合线并使探头的头部距离主电路有一段距离。

图10为不同条件下观测到的波形。从波形可以看出，浪涌波形因测量位置的不同而存在较大差异。

图10. 不同测量位置的观测波形比较

（a）是在距离DUT最近的位置进行测量的，因此观测到的波形是稳定的。而（b）则在离DUT引脚根部有点距离的位置进行的测量，因此观测到波形中包含这部分产生的电动势，所以浪涌的极性与（a）完全相反。（c）和（d）由于从DUT到定位销钉之间的薄膜布线形成了闭合路径，所以波形中含有噪声。根据这些测试结果，可以得出的结论是测量位置应尽可能地靠近DUT。

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