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[试用分享] 【罗姆650V EcoGaN™ Power Stage IC评估板试用】-开箱篇

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2024-1-14
发表于 2023-12-19 13:42:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 icehippo 于 2023-12-20 10:35 编辑

前言

首先感谢与非网罗姆社区给的这次试用的机会,让我能体验一下最新650V EcoGaN™ Power Stage IC评估板。首先介绍一下收到的板子,我一共收到3块板子,分别是:①、BM3G007MUV-EVK-002(PFC 240W)就是那个大块头板子②、BM3G007MUV-EVK-003③、BM3G015MUV-EVK-003。

其次,我来科普一下什么是GaN HEMT氮化镓高电子迁移率晶体管,作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表,器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率饱和电子速度击穿电场。可以实现更小导通电阻栅极电荷(意味着更优秀传导和开关性能)。因此GaN功率器件更适合于高频应用场合,对提升变换器的效率和功率密度非常有利。目前GaN功率器件主要应用于电源适配器车载充电数据中心等领域,也逐渐成为5G基站电源的最佳解决方案。

然后,让我们熟悉一下BM3G007MUV-EVK-002这块参考板吧,BM3G007MUV-EVK-002参考板从90VAC到264VAC输入,来输出400V电压。其输出的电流电源高达0.6A。看起来电流不大,但是400V的电压,一起输出的功率可是不小的。内置GaN HEMT (650V 70mΩ)、 驱动器和保护装置电路,有保护才能更安全。氮化镓功率级可实现最大97.8%的效率,这效率没的说。


再然后,BM3G007MUV-EVK-003参考板,由BM3G015MUV(GaN FET(650V 70mΩ)、集成驱动器和保护电路)和一块安装外设组件的电路板组成。该IC设计用于适应现有的主要控制器,因此也可以用来取代超级结MOSFET等传统的分立功率开关。BM3G015MUV-EVK-003参考板也是类似,由BM3G015MUV(GaN FET(650V 150mΩ)、集成驱动器和保护电路)和一块安装外设组件的电路板组成。此款集成电路设计用于适应现有的主要控制器,因此也可以用来取代超级结MOSFET等传统的分立功率开关。这两兄弟看起来好相似,他们的区别是,BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB,导通电阻分别是70毫欧和150毫欧,以适用不同的需求。


用途:面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源,那么什么是一次侧电源?在工业设备和消费电子等设备中,会通过变压器等对电源和输出单元进行隔离,以确保应用产品的安全性。在隔离部位的两侧,电源侧称为“一次侧(初级)”,输出侧称为“二次侧(次级)”,一次侧的电源部位称为“一次侧电源”。2012年,第一颗600V的GaN芯片通过了JEDEC;2018年,650V功率 GaN IC 面市;2019年,650V功率GaN市场被打开。2020年,小米推出65W GaN充电器,进一步拓展了GaN市场。据Trend Force报告显示,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金,复合增长率高达65%。

三个官方包装箱

三个官方包装箱
BM3G007MUV-EVK-002.jpg

BM3G007MUV-EVK-003

BM3G007MUV-EVK-003

BM3G015MUV-EVK-003

BM3G015MUV-EVK-003

电气特性

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