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【R课堂】SiC MOSFET(20)第4代SiC MOSFET的特点

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精华

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发表于 2024-2-28 13:31:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
第4代SiC MOSFET的特点
在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果
> 电路工作原理和损耗分析
> DC-DC转换器实机验证
在EV应用中使用第4代SiC MOSFET的效果
> EV应用
> 装入牵引逆变器实施模拟行驶试验
> 图腾柱PFC实机评估
第4代SiC MOSFET的特点
ROHM推出的SiC MOSFET第4代产品,进一步改进了第3代确立的沟槽栅极结构,实现了更低的导通电阻和更出色的高速开关特性。为了更好地了解第4代SiC MOSFET使用效果,我们先来了解一下其特点。


改善了短路耐受时间并实现了更低导通电阻
第4代SiC MOSFET通过进一步改进ROHM自创的双沟槽结构,改善了EV牵引逆变器等应用所需的短路耐受时间,与第3代SiC MOSFET相比,导通电阻降低约40%。第4代SiC MOSFET的导通电阻是业内超低*级别的导通电阻。
*截至2022年2月 ROHM调查数据

调查数据

调查数据


大幅降低寄生电容,开关损耗更低
通过大幅降低栅-漏电容(CGD),成功地使开关损耗比第3代SiC MOSFET降低约50%。

开关损耗更低

开关损耗更低


支持15V栅-源电压驱动,使应用产品的设计更容易
到第3代SiC MOSFET时,栅-源电压VGS为18V,而第4代则支持15V驱动,这将使应用产品的设计更加容易。


有奖问答:第4代SiC MOSFET将用来驱动MOSFET的栅-源电压VGS_________
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