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【R课堂】MOSFET②开关特性及其温度特性

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发表于 2024-5-17 09:30:45 | 显示全部楼层 |阅读模式
MOSFET的开关特性
在功率转换中,MOSFET基本上被用作开关。MOSFET的开关特性一般提供导通延迟时间:Td(on)、上升时间:tr、关断延迟时间::Td(off)、下降时间:tf。下面是从以低导通电阻和高速开关为特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技术规格中摘录的内容。这些参数的名称和符号,各厂家间可能多少有些不同。例如,导通(关断)延迟时间与Turn-on (off)delay time,上升(下降)时间与 rising (falling) time 或 rise (fall) time等。

MOSFET的开关特性

MOSFET的开关特性
这些与开关相关的参数,受测量电路的信号源阻抗和漏极负载电阻RL的影响较大。 因此,基本上会规定测量条件,提供测量电路。一般技术规格中会提供上例中所示的VDD、VGS、ID、RL、RG的条件。规定的条件适用于提供的测量电路。
另外,因为是时间参数,因此其参数规定可能是“从哪里到哪里的时间”。
  >导通延迟时间:从VGS上升10%到VDS上升10%的时间
  >上升时间:从VDS上升10%到90%的时间
  >关断延迟时间:从VGS下降90%到VDS下降90%的时间
  >下降时间:从VDS下降90%到10%的时间
这里的VDS“上升/下降”的表达从波形看可能好像是反的,这是因为输出是反转的。例如,导通时间可解释为“VGS上升到10%后,到MOSFET导通10%的时间”。


有奖问答:这些开关时间随着温度上升略有増加趋势,由于温度上升100℃约增加10%左右,因此可以认为_______
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