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【R课堂】MOSFET⑧高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™

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高速trr SJ-MOSFET: PrestoMOS FN系列
PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了内部二极管的反向恢复时间trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。PrestoMOS的FN系列与标准型AN系列相比,trr速度提高至约1/5。同时,反向恢复电流Irr也降低至约1/3。这些特性的提升可大大降低开关损耗。顺便提一下,PrestoMOS的“Presto”是源于表示“急板”的音乐速度用语。

高速trr SJ-MOSFET: PrestoMOS FN系列 PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量 ...

高速trr SJ-MOSFET: PrestoMOS FN系列  PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量 ...
开发旨在trr高速化的FN系列,是为了使逆变器电路和电机驱动器电路的损耗更低,并通过免除外置二极管从而使元器件数量更少、电路规模更小。一般这类电路是由MOSFET或IGBT与二极管组合构成的。与二极管组合的原因是为了抑制MOSFET和IGBT的内部二极管trr间产生的换流损耗,通常需要2个外置快速恢复二极管(以下简称“FRD”)。


换流损耗对策、高速trr型
从电流路径的角度看,无需这些外置FRD,但由于MOSFET的内部二极管trr不是很快,因而其间的反向电流Irr成为较大损耗。为了阻止这种Irr,同时为了确保逆变器电路等的再生电流的高速路径,需要2个FRD。


这样一来,添加FRD必然会使元器件数量增加,而且MOSFET导通时的漏极电流(Id)路径中也因添加FRD而导致损耗增加。PrestoMOS通过实现内部二极管trr的高速化,无需使用这2个FRD也可用最低的损耗实现电路工作。由于不再需要2个FRD,损耗也更低,还可实现小型化和高效化。


有奖问答:在电机驱动器电路例中,与IGBT的比较中,在ID低的范围由于_______故该范围的损耗变小。
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