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【R课堂】MOSFET⑨同时具备MOSFET和IGBT优势的Hybrid MOS

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发表于 2024-5-21 14:55:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
同时具备MOSFET和IGBT优异特性的Hybrid MOS GN系列
Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET(以下简称“SJ MOSFET”)的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。
下面为IGBT、SJ MOSFET、Hybrid MOS的特征比较图。

特征比较图

特征比较图


如V-I特性所示,Hybrid MOS在低电流范围具有与SJ MOSFET基本相同的良好特性。在大电流范围斜率陡升,可流过更多的电流。这表示该范围的导通电阻比SJ MOSFET低,虽然不能说是与IGBT同等,但Hybrid MOS大大改善了SJ MOSFET大电流范围的特性。


5个项目分5个等级进行评估的稍详细的比较图。从图中清晰可知,Hybrid MOS具备全能型特性。

Hybrid MOS具备全能型特性

Hybrid MOS具备全能型特性
与SJ MOSFET 相比,Hybrid MOS在高温下的工作得到显著改善。另外,还能够在更大电流下工作。这与前面提到的导通电阻的温度特性密切相关。
右图表示Hybrid MOS与SJ MOSFET的导通电阻Ron的详细温度特性。SJ MOSFET在高温时,相对于ID的VDS、即Ron显著增加。所以,当周围温度高时不必言说,当ID增加时可能会产生发热增加、芯片温度上升、Ron增加、故芯片温度进一步上升的“热失控”状态。

详细温度特性

详细温度特性

有奖问答:Hybrid MOS即使在高温状态下,Ron及Ron的变动非常小,在Tj=125℃、ID=20A条件下的比较中,Ron换算结果_______
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