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【R课堂】逆变电路④PrestoMOS™与普通SJ MOSFET的效率

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发表于 2024-5-23 00:23:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
继上一篇中通过双脉冲测试进行损耗比较的内容之后,本文中我们将对本系列文章的评估对象——三相调制逆变电路中的效率进行比较。MOSFET与双脉冲测试中使用的产品型号一样,即PrestoMOS™ R6030JNx和普通的SJ MOSFETR6030KNx。这次是通过仿真来进行效率比较的。图19为仿真电路。

图19

图19
仿真条件是根据双脉冲测试电路中所用的条件进行了如下设置:
1)栅极驱动电压VGS:0V to 12V
2)电源电压Vin:280Vdc
3)电感LU、LV、LW:8mH
4)开关频率fsw:5kHz
5)栅极电阻RG(on):根据器件进行变更(为了使导通的di/dt达到100A/μs)
・PrestoMOS™ R6030JNx:60Ω(并联3个180Ω电阻)
・R6030KNx:180Ω
6)栅极电阻RG(off):22Ω
7)输出功率POUT:100W、300W、500W、700W、1000W
图20为仿真得到的效率。图21为仿真过程中1个MOSFET的损耗。

图20

图20
从结果可以看出,PrestoMOS™ R6030JNx(红线)的效率更高,其优异的反向恢复特性是非常有助于提高效率的。


有奖问答:关于损耗,当输出功率为1000W时,1个MOSFET的损耗改善了_______,而使用6个MOSFET时,这些MOSFET加起来可以改善3W的损耗。
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