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【R课堂】SiC MOSFET⑤电路工作原理和损耗分析

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发表于 2024-6-19 16:37:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
在降压型DC-DC转换器中使用第4代SiC MOSFET的效果:电路工作原理和损耗分析
与第3代SiC MOSFET相比,第4代SiC MOSFET的高速开关特性改善尤为明显,这将非常有助于降低开关损耗。图3(a)是降压型DC-DC转换器的框图,图3(b)是其开关波形。
转换框图.png
图3.png
如图3(b)所示,DC-DC转换器中的功率器件SH和SL的损耗包括开关损耗Psw、传导损耗Pcond、体二极管损耗Pbody、反向恢复损耗PQrr和Coss损耗。(*由于Coss损耗很小,因此图中省略了Coss损耗)


在技术规格书中,开关损耗通常表示为Eon、Eoff的每个脉冲所消耗的能量。这个指标在初期设计阶段进行损耗粗略估算时很有用。在具体设计中,需要严谨地计算出在高电压输入和高频条件下的损耗。栅极电压值、栅极驱动器的Sink/Source电阻值、外置栅极电阻值等几Ω的值,会在几ns(纳秒)量级影响到开关时间(Trise/Tfall)。而这最终会导致损耗显著变化,因此栅极驱动器的优化设计将需要用到SiC MOSFET的高速开关特性。


有奖问答:通过将Qgd降低至第3代SiC MOSFET的一半左右,第4代SiC MOSFET可实现_______
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