【R课堂】全SiC功率模块的开关损耗

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全SiC功率模块的开关损耗
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。


全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。


下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等IGBT的比较。左图是基于技术规格书中的规格值的比较，Eon为开关导通损耗，Eoff为开关关断损耗、Err为恢复损耗。全SiC功率模块的Eon和Eoff都显著低于IGBT，至于Err，由于几乎没有Irr而极其微小。结论是开关损耗总共可以降低77%。这是前面提到的第一个优势。

【有奖问答】在与IGBT模块的比较中，5kHz条件下总体损耗降低了约______。
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