【R课堂】所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较

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所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较
继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。


SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管
下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。


而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高耐压。要想提高Si-SBD的耐压，只要增厚图中的n-型层、降低载流子浓度即可，但这会带来阻值上升、VF变高等损耗较大无法实际应用的问题。因此，Si-SBD的耐压200V已经是极限。

【有奖问答】而SiC拥有超过硅___倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。
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