【R课堂】SiC-SBD和Si-PN结二极管

管理-小R · 发表于 2024-10-8 11:28:27

SiC-SBD和Si-PN结二极管

通过Si二极管来应对SBD以上的耐压的是PN结二极管（称为“PND”）。下图为Si-PN二极管的结构。SBD是仅电子移动，电流流动，而PN结二极管是通过电子和空穴（孔）使电流流动。
尽管FRD（快速恢复二极管）利用PN结二极管提高了速度，但尽管如此，trr（反向恢复时间）特性等劣于SBD。因此，trr损耗是高耐压Si PN结二极管的重大研究项目。此时，开关电源无法对应高速的开关频率也是课题之一。

【有奖问答】通过在n-层积蓄少数载流子的空穴使____下降，从而同时实现_____和______，但关断的速度会变慢。
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hjf2002 · 发表于 2024-10-8 16:13:04

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zhangjsh · 发表于 2024-10-8 16:23:00

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linghz · 发表于 2024-10-8 16:23:42

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lxl666 · 发表于 2024-10-8 16:23:49

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哈姆基奥拉朱旺 · 发表于 2024-10-8 16:55:52

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graphicalanalys · 发表于 2024-10-8 21:17:40

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eefocus_3959734 · 发表于 2024-10-8 21:17:59

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suncat0504 · 发表于 2024-10-8 21:18:59

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dl265361 · 发表于 2024-10-8 21:32:18

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