ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管

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【颠覆未来通信，ROHM引领SiC SBD技术革新】在卫星技术日新月异的今天，低地球轨道（LEO）卫星正以其独特的优势，重塑我们的通信格局、数据收集与地球监测方式。这些位于地球表面100至500英里高空的卫星，正成为电信、地球观测、科学研究及国家安全等领域不可或缺的关键力量。未来，商业星座规模将持续扩大，预计到2029年，其规模将从35%跃升至70%，其中通讯应用将占据65%的增长份额，构建起跨越LEO、中地球轨道（MEO）和地球同步轨道（GEO）的卫星网络。

在此背景下，全球领先的半导体制造商ROHM（日本京都市总部）再度发力，推出引脚间爬电距离更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（SBD）。其“SCS2xxxNHR”系列已涵盖8款适用于车载充电器（OBC）等车载设备的机型，更计划于2024年12月推出8款针对FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”系列。

随着xEV的快速普及，市场对功率半导体，尤其是发热量少、开关速度快、耐压能力强的SiC SBD需求激增。ROHM作为SiC领域的领航者，此次通过原创封装形状，实现了最小5.1mm的爬电距离，约为普通产品的1.3倍，同时保证了优异的绝缘性能。这一创新不仅提高了生产效率，更在高电压应用中无需树脂灌封即可实现绝缘处理。

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