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[试用分享] 【罗姆第4代SiC MOSFET半桥评估板试用】H侧开关管脉冲实验

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2025-1-15
发表于 2025-1-6 22:26:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
双脉冲实验是电路变换器设计早期对功率器件进行开关性能测量的一种方法。通过使用SiC开关管进行H桥电路的双脉冲实验,可以评估开关器件在实际电路中的动态性能,包括开关损耗、开关时间、反向恢复特性、瞬态响应等关键参数。通过H桥电路中的双脉冲实验,可以深入了解SiC开关管在不同操作条件下的行为特性,为产品设计提供有力的数据支持。同时,该实验也有助于评估和优化功率电子电路的性能表现,提升系统的效率和可靠性。
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准备一个脉冲发生器,并将 CLK 信号连接到 IN_H_CLK 引脚(CN1 引脚 1)。将用于控制的 12 V 电源连接到 Vcc 引脚 (CN201),将高压 HVdc 电源连接到 HVdc 引脚 (T1)。连接如下 本次实验电感使用22uh   驱动信号使用80Khz方波信号

42c6d5525557bbdb5dd2a61fbcbe5f70.jpg 3f04ec89df63ebab3837a964b8f9e74d.jpg cefe48847d96af45df44c52c9077ac33.jpg




连接电源 信号源  板子



在电源是可以试试观察系统功耗
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开关频率 27.8ns左右  下降时间122.4ns左右



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和手册中对比上升时间大概一致 下降时间略微大于手册中 因为测试电源使用的是12v所以本次测试还是符合预期的
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