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【电子小百科】什么是GaN功率器件?(1)

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什么是GaN功率器件?(1)

GaN(Gallium Nitride:氮化镓)是一种化合物半导体,使用这种GaN的晶体管是被称为“GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor:高电子迁移率晶体管”的功率器件。
与目前主流的半导体材料Si(Silicon:硅)相比,采用GaN这种材料的功率器件具有导通损耗少(低导通电阻)和高速开关性能优异的特点,能够满足市场对于提高功率转换效率和小型化的需求。
SiC(Silicon Carbide:碳化硅)功率器件支持在高电压条件下高效工作。GaN HEMT在中等耐压的高频范围已得到日益广泛的应用。
为了更好地激发出GaN HEMT的性能,ROHM提供将GaN HEMT和栅极驱动器IC一体化封装的Power Stage IC,而且正在计划开发在此基础上将控制IC也一体化封装的产品。
关于应用,适用于通信基站和数据中心的服务器电源、工业设备用的电机以及AC适配器等众多应用。

Si/GaN/SiC晶体管的分栖共存
功率器件的器件结构和所使用的材料(Si/GaN/SiC)不同,适用的功率容量和工作频段也不同。
一直以来Si是半导体器件的主要材料,但由于市场对高频工作和大功率的需求,GaN和SiC开始受到关注。


【有奖问答】: 与Si相比,GaN和SiC的带隙更宽,在耐压、________和电子迁移率方面更具优势,可满足对半导体材料的要求——在高温、________、高电压和高频率的环境下工作。
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