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【电子小百科】什么是GaN HEMT?(1)

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发表于 2025-1-24 15:01:04 | 显示全部楼层 |阅读模式
什么是GaN HEMT?(1)

GaN HEMT中的“HEMT”是“High Electron Mobility Transistor”的首字母缩写,意为“高电子迁移率晶体管”。
高电子迁移率晶体管是使用了电子迁移率高的半导体材料的晶体管,可实现高速开关(高频工作)。

GaN HEMT的结构
Si MOSFET是垂直结构,而GaN HEMT是横向结构。
GaN晶体在Si衬底上生长,并在其上形成AlGaN(氮化铝镓)层。

当在GaN上生长AlGaN薄膜时,由于压电效应,很多电子聚集在界面处,形成高迁移率的二维电子气(2DEG:2Dimensional Electron Gas)层。将这一层用作电流路径。


另外,由于GaN和Si的热膨胀系数差较大,因此晶体生长后降温时会产生较大的应力,可能会导致衬底破裂开裂。
为了缓和这种应力而设置了缓冲层。

【有奖问答】: 之所以使用Si衬底,是因为它比其他材料更容易________,适合大规模生产。
Tips: 点击阅读全文,获得答案
请规范答题,连续答错无法获得奖励哦~



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