【电子小课堂】什么是GaN HEMT？（2）

管理-小R · 发表于 2025-2-5 10:59:40

什么是GaN HEMT？（2）

开关损耗
与Si MOSFET相比，GaN HEMT的开关损耗显著降低。
使用GaN HEMT可以大幅降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。

与Si MOSFET相比，
GaN HEMT可大幅降低开关损耗

其他特性比较
下表中对Si SJ（Super Junction：超级结）MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT等功率器件的一般特性（650V电压级）进行了比较。

【有奖问答】: 从表中可以看出，在适用GaN HEMT的中等________、中等________范围，其开关特性优势显著。

Tips: 点击阅读全文，获得答案

请规范答题，连续答错无法获得奖励哦~

eefocus_3924226 · 发表于 2025-2-5 11:09:34

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sumoon_yao · 发表于 2025-2-5 12:23:59

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eefocus_3754746 · 发表于 2025-2-5 12:28:45

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哈姆基奥拉朱旺 · 发表于 2025-2-5 12:35:13

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eefocus_3754741 · 发表于 2025-2-5 12:35:28

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linghz · 发表于 2025-2-5 12:54:41

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lxl666 · 发表于 2025-2-5 12:54:47

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htwdb · 发表于 2025-2-5 13:03:21

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eefocus_3878630 · 发表于 2025-2-5 13:28:12

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