【电子小百科】什么是晶体管？——MOSFET特性（3）

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什么是晶体管？——MOSFET特性（3）

关于MOSFET的VGS(th)(界限値)
关于MOSFET的VGS(th)
MOSFET开启时，GS (栅极、源极) 间需要的电压称为VGS(th)（界限值)。
即输入界限值以上的电压时MOSFET为开启状态。
那么MOSFET在开启状态时能通过多少A电流？针对每个元件，在规格书的电气特性栏里分别有记载。

表1为规格书的电气特性栏示例。该情况下，输入VDS=10V时，使1mA电流通过ID所需的栅极界限值电压ID(th)为1.0V to 2.5V。

ID-VGS特性和温度特性
ID-VGS特性和界限值温度特性的实测例如图1、2所示。
如图1，为了通过绝大部分电流，需要比较大的栅极电压。
使用时请输入使其充分开启的栅极电压。

如图2，界限值随温度而下降。
通过观察界限值电压变化，能够计算元件的通道温度。

图1: ID-VGS特性
图2: 界限值温度特性

【有奖问答】: 表1所记载的机型，其规格书上的界限值为________以下，但是为________驱动产品。

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