【R课堂】全SiC功率模块的开关损耗（1）

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全SiC功率模块的开关损耗（1）

全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。

全SiC功率模块的开关损耗

全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。

下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等IGBT的比较。结论是开关损耗总共可以降低77%。这是前面提到的第一个优势。

右图是以PWM逆变器为例的损耗仿真，是开关频率为5kHz和30kHz时开关损耗和传导损耗的总体损耗。在与IGBT模块的比较中，5kHz条件下总体损耗降低了约22%。橙色部分表示开关损耗，降低的损耗大部分是开关损耗。在30kHz条件下，首先是IGBT的开关损耗大幅增加。众所周知，这是IGBT高速开关所面对的课题。全SiC功率模块的开关损耗虽然也有所增加，但其增加比例远低于IGBT模块。可以看出结论是：在30kHz条件下，总体损耗可降低约60%。这是前面提到的第二个优势。

【有奖问答】: 左图是基于技术规格书中的规格值的比较，Eon为开关导通损耗，Eoff为开关关断损耗、Err为________。全SiC功率模块的Eon和Eoff都显著低于IGBT，至于Err，由于几乎没有________而极其微小。

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