【R课堂】全SiC功率模块的开关损耗（2）

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全SiC功率模块的开关损耗（2）

采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低

ROHM在行业中率先实现了沟槽结构SiC-MOSFET的量产。SiC功率模块已经采用了这种沟槽结构的MOSFET，使开关损耗在以往SiC功率模块的基础上进一步得以降低。

右图是基于技术规格书的规格值，对1200V/180A的IGBT模块、采用第二代DMOS结构SiC-MOSFET的全SiC功率模块BSM180D12P2C101、以及采用第三代沟槽结构MOSFET的BSM180D12P3C007的开关损耗比较结果。

相比IGBT，第二代的开关损耗降低了约60%，而第三代在第二代的基础上又降低了约42%，与IGBT相比则开关损耗可降低约77%。

这就意味着对于IGBT模块不擅长的高速开关工作，全SiC功率模块不仅可以大幅降低损耗还可以实现高速开关。

【有奖问答】: 如上所述，全SiC功率模块的开关损耗大大低于同等IGBT模块的开关损耗，而且________越高，与IGBT模块之间的________越大。

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