650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

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650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装
~同时加快车载GaN器件的开发速度，以尽快投入量产~

半导体爱好者们看过来！全球知名的半导体制造商 ROHM，总部位于日本京都市，最近有了新动态 —— 已成功将 TOLL（TO-LeadLess）封装的 650V 耐压 GaN HEMT*1 “GNP2070TD-Z” 投入量产。TOLL 封装优势显著，不仅体积小巧，散热性能更是出众，同时具备优异的电流容量和开关特性。也正因为这些出色的性能，它在工业设备、车载设备以及诸多需要大功率支持的应用领域中，正获得越来越广泛的采用。此次 ROHM 的封装工序，外包给了在半导体后道工序供应商（OSAT）领域业绩丰富的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称 “ATX”）。

为了实现无碳社会，“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。功率元器件是提高其效率的关键，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产，并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。为了应对大功率应用中的进一步小型、高效率化的市场要求，ROHM采取在以往的DFN8080封装基础上追加的形式来强化650V GaN HEMT的封装阵容。在TOLL封装中内置第2代元件并实现产品化。

新产品在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片，在与导通电阻和输入电容相关的器件性能指标 (RDS(ON)×Qoss*2) 方面，数值表现达到业界先进水平。这将有助于需要高耐压且高速开关的电源系统进一步节能和小型化。

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