3月-ROHM空中课堂| 罗姆氮化镓功率解决方案

管理-小R · 发表于 2025-3-4 10:00:00

阳春三月，草长莺飞，万物复苏，处处洋溢着生机与活力。小 R 在过往活动中深切感受到大家对知识的渴望与热情，也见证了“空中课堂”活动的超高人气！在上一期的空中课堂里，我们围绕车载小信号 DFN 系列，探讨了如何通过小型化大功率实现汽车多功能化。

本次，小 R 精心筹备，为大家带来全新一期空中课堂《罗姆氮化镓功率解决方案》，将带你深入了解氮化镓器件与 Nano 电源技术的精妙结合，领略罗姆在这一领域的前沿成果。点击下方视频讲座链接，即刻开启你的学习之旅，还能参与答题挑战，收获满满知识！

l 视频讲座：《EcoGaN™以及LSI技术》

简介：

近年来，氮化镓器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责氮化镓器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，罗姆进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程度激发氮化镓器件性能的超高速驱动控制IC技术。

本期课程将深入剖析罗姆的氮化镓品牌EcoGaN™以及 LSI 技术，从氮化镓器件的原理、优势，到与nano电源技术的协同应用，再到相关产品在数据中心、5G 基站、车载激光雷达等领域的实际应用，全方位为你解读。此外，还会介绍罗姆在解决氮化镓器件应用痛点上的创新成果。

在本期课程推出之际，小R还贴心地为大家收集并整理了相关学习资料，来学习的小伙伴挖到宝了！快来下载看看吧！

l学习资料：

专题页面：

罗姆氮化镓（GaN）功率解决方案

该专题页面整理了氮化镓的基本知识以及罗姆氮化镓（GaN）功率解决方案的介绍，主要分为以下几个方面：

1. GaN功率器件的介绍

2. 晶体管功率器件的应用范围

3. 罗姆现有氮化镓产品系列（EcoGaN™）

4. 罗姆即将推出的氮化镓产品（EcoGaN™）

5. 助力应用性能提升的氮化镓参考设计

6. 使用氮化镓的应用示例——罗姆的氮化镓功率解决方案推动多样化应用

7. 相关资料

宝藏文档：

l 功率元器件产品目录

l 追求极致节能和小型化的罗姆“Nano”电源技术

l 白皮书下载丨罗姆功率半导体产品概要~Power Eco Family~

活动时间：
2025年3月4日-3月17日

活动形式：
围绕上方所给到的视频、文档等资料，小R每天出题，每题两次回答机会。用户回帖答题，全部回答正确即可获得30罗姆豆/天（罗姆豆有何用？？先去转盘看一看）及10 ROHM金币/天（ROHM金币有何用？？先去积分商城看一看）。同时活动结束将会从每天坚持回答问题且连续回答正确的小伙伴中随机抽出5人送出精美礼品1份。周末问题不计算在内，但最终会从所有问题回答正确的小伙伴中抽出1人送出彩蛋奖品1份。

中奖的5位小伙伴为linghz、eefocus_3754746、eefocus_3878630、eefocus_3924226、ufoer11，中彩蛋奖品的小伙伴为qintian0303，将会分别发放一份精美实物/积分礼品~

转盘奖品展示：
一等奖：大礼包（移动电源+数码收纳包+三合一数据线）二等奖：雷神鼠标 x 2
三等奖：智能闹钟x2 四等奖：折叠水杯x 3
五等奖：10积分x 10 六等奖：8罗姆金币(数量不限)
七等奖：6罗姆豆（数量不限）

温馨提示：
*用户必须答对才可获得罗姆豆和金币，每人每天有2次答题机会，必须当天参与答题才可兑奖，否则不发放当日奖励哦~（补答无效）
*实物奖品可换成等值京东卡，活动解释权归ROHM社区所有，领奖请联系小R（论坛私信或者联系QQ：1549319930）

题目：（每日问题的答案均在上述视频、文档以及相关新闻页面中）

3月4日问题：碳化硅 MOSFET 是________结构，电流垂直方向流过；氮化镓 HEMT 是横向结构，电流水平方向流过。在耐压方面，氮化镓 HEMT 适合 650V 以下电压，其 Ron・Qg 值为________，开关特性优秀。

3月5日问题：氮化镓 HEMT 有望成为一种在中压范围内具有极高频率工作的器件，GaN的工作频率可达到_______kHz以上。

3月6日问题：BD9JZ01MUF 100V DC/DC 控制器的最小 On 脉冲为_______。

3月7日问题：Si MOSFET 解决方案的工作频率为 166 千赫，解决面积为 48mm x 36mm，效率为 93.95% 。60W/48V 输出 GaN 场效应管（GNE1040TB）解决方案工作频率为 1 mhz，解决面积比 Si MOSFET 解决方案减少 46%，为 26mm × 36mm，效率为______，输出电容尺寸减少约 75%，输出纹波从 412mVpp 减少至______ 。

3月8~9日问题：氮化镓是一种二元III/V直接带隙半导体材料，近年来因其独特的特性而备受关注。氮化镓具有______eV的宽禁带宽度，与传统的硅MOSFET相比，能够承受更高的电压和温度，这使其成为大功率晶体管的理想材料。

3月10日问题：如下图所示，在击穿场强方面，4H-SiC 为 3 MV/cm，GaN 比 4H-SiC 高______ MV/cm；在电子饱和速度上，Si 是1*107cm/s，GaN 是 Si 的______倍。

3月11日问题：氮化镓技术相比传统的硅半导体具有显著优势，包括更高的速度和更低的电阻，这使得氮化镓功率晶体管越来越多地应用于大功率和高频器件中，适用于______等应用场景。集成电路在提高效率、______和降低功率转换系统成本方面起着至关重要的作用。

3月12日问题：从下图中可知，GaN HEMT 在耐压为 650V 时，其对应的工作频率范围通常在______kHz 以上。

3月13日问题：氮化镓高电子迁移率晶体管的最大优势在于其在______下的运行能力。它们可以在超过______MHz的频率下工作，而不仅仅是几百kHz。

3月14日问题：当输入电压为 48V，Si 元器件构成的电源电路输出电压为 12V，频率 300kHz，其电源电路贴装面积为1412mm2；而 GaN 器件构成的电源电路输出电压为 1.8V，频率 2000kHz 时，电源电路贴装面积为______mm2 ，相比 Si 元器件构成的电源电路，贴装面积减少了______% 。