ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET

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ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
~实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围~

家人们！全球知名半导体大厂 ROHM 又放大招啦！面对高级数据处理技术进步和数字化转型加速，服务器需求猛增，尤其是 AI 处理服务器，且它们需 24 小时不间断运行，MOSFET 导通损耗对系统性能和能效影响巨大，加上热插拔时的浪涌电流问题，对 MOSFET 要求极高。为此，ROHM 面向企业级高性能服务器和 AI 服务器电源，开发出 3 款 Nch 功率 MOSFET，包括适用于企业级高性能服务器 12V 系统的 “RS7E200BG”（30V），以及适用于 AI 服务器 48V 系统的 “RS7N200BH（80V）” 和 “RS7N160BH（80V）”，实现了业界超低导通电阻和超宽 SOA 范围，超有助于提升服务器电源电路的效率和可靠性，快来一起聊聊呀！

新产品均采用新开发的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封装，与以往的HSOP8（5.0mm×6.0mm）封装相比，封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻，30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ（Typ.），80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ（Typ.），非常有助于提高服务器电源电路的效率。

另外，通过优化封装内部的夹片形状设计，提高了散热性能，同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”，其SOA范围达70A以上（条件：脉冲宽度=1ms、VDS=12V时），与以往的HSOP8封装产品相比，在相同条件下SOA范围提高了一倍，从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。

对这几款创新产品感兴趣的小伙伴，赶紧点击链接移步ROHM官网一探究竟，说不定从中能挖掘到新商机，或是收获技术灵感呢！

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厉害了