【R课堂】所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别（1）

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所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别（1）

从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。

本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。

与Si-MOSFET的区别：驱动电压

下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。

导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动，以充分获得低导通电阻。也就是说，两者的区别之一是驱动电压要比Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。

【有奖问答】: SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比，由于漂移层电阻低，_______高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压_______越高导通电阻越低的特性。

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