【R课堂】所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性（2）

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所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性（2）

阈值稳定性（栅极负偏压）
反之，当栅极被长时间施加直流的负偏压时，空穴被捕获，阈值下降。在HTGB试验中，负偏压下的阈值变化程度大于正偏压，在Vgs为-10V以上时阈值下降超过0.5V。



第二代MOSFET（SCT2[xxx[]系列、SCH2xxx]系列）中，栅极负偏压的保证电压为-6V。请注意，当负偏压大于-6V时，阈值可能进一步降低。交流（正负）偏压时，反复进行对陷阱的充放电，因此偏移的影响很小。

体二极管的通电劣化
一般认为SiC-MOSFET存在称为“体二极管的通电劣化”的故障模式。这是正向电流持续流过MOSFET的体二极管时，电子-空穴对的重新复合能量使称为“堆垛层错”的缺陷扩大，影响到电流路径，使导通电阻和体二极管的Vf上升的模式。

ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V　80Ω的第二代SiC MOSFET产品中，实施了对体二极管进行1000小时的直流8A通电测试，结果如下。试验证明，所有特性如导通电阻，漏电流等都没有变化。

【有奖问答】: 堆垛层错使发热量增加，在某些情况下还会引起_______性能下降。因此，在用于发生向体二极管换流的应用（_______、DC/DC转换器等）时，有可能会导致问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）

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