【R课堂】所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性（3）

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所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性（3）

短路耐受能力
由于SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比具有更小的芯片面积和更高的电流密度，因此对于导致热击穿的短路的耐受能力往往比Si-MOSFET低。TO247封装的1200 V级MOSFET中，Vdd=700V、Vgs=18V时的短路耐受时间约为8～10μs。随着Vgs降低，饱和电流减小，所以耐受时间变长。另外，Vdd较低时发热量也会减少，所以耐受时间会更长。

由于关断SiC-MOSFET所需的时间非常短，所以当Vgs的断路速度很快时，急剧的dI/dt可能会引发较大的浪涌电压。请使用逐渐降低栅极电压的软关断功能等，并在没有过电压的情况下关断。

dV/dt破坏
Si-MOSFET存在一种由于dV/dt过高而通过电容Cds流过瞬态电流，寄生双极晶体管工作导致损坏的模式。关于体二极管快速恢复时的dV/dt，一般认为由于SiC-MOSFET的快速恢复电流非常小，快速恢复时的dI/dt很小，所以dV/dt也不会增加，不易发生这种损坏模式。

【有奖问答】: ROHM的SiC-MOSFET由于寄生双极晶体管的电流放大倍数_______较低，因而不会发生电流放大，截至目前的调查中，即使在_______kV/µs左右的工作条件下，也未发生这种损坏模式。

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