【电子小百科】什么是晶体管？——负载开关（二）

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关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施
■Nch MOSFET负载开关等效电路图
Nch MOSFET 负载开关：RSQ020N03
VIN=5V, IO=1A,　Q1_1G=1V→12V
Q2 OFF时，负载SWQ1 ON。（Q1的栅极电压设定在VO(VGSQ1)之上。）
Q2 ON时，负载SWQ1 OFF。
Q1 ON时，由于会流过浪涌电流，所以作为应对措施追加C2。

关于负载开关OFF时的逆电流
即使在负载开关Q1从ON到OFF时，由于存在输出侧负载容量CL，所以输出VO引脚的电压会残留一定时间。
要注意，不要超过MOSFET Q1的额定电流值。
关于输入旁路电容器CIN的容量值，请在充分探讨负载侧条件、上升时间后再决定。

■负载开关等效电路图

【有奖问答】: 输入VI侧比输出VO侧电压低时，由于MOSFET Q1的漏极、源极间存在______，所以有时寄生二极管导通会发生从输出VO侧到输入VIN侧的______。

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