【电子小百科】什么叫SiC功率器件？——SiC-MOSFET（二）

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什么叫SiC功率器件？——SiC-MOSFET（二）
3. VD - ID特性
SiC-MOSFET与IGBT不同，不存在开启电压，所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。
而Si-MOSFET在150°C时导通电阻上升为室温条件下的2倍以上，与Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比较低，因此易于热设计，且高温下的导通电阻也很低。

※该数据是ROHM在相同条件下测试的结果，仅供参考。此处表示的特性本公司不做任何保证。

4. 驱动门极电压和导通电阻
因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。
如果使用一般IGBT和Si-MOSFET使用的驱动电压VGS=10~15V不能发挥出SiC本来的低导通电阻的性能，所以为了得到充分的低导通电阻，推荐使用VGS=18V左右进行驱动。

【有奖问答】: SiC-MOSFET的______比Si-MOSFET低，但是另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的______部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。

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