ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET

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ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，助力快速充电应用

家人们！全球知名半导体制造商ROHM又在半导体领域掀起了一阵创新风暴啦！如今，快速充电技术正以前所未有的速度改变着我们的生活，从智能手机到各种智能设备，人们对充电速度和效率的要求越来越高。而ROHM凭借其卓越的技术实力和对市场需求的敏锐洞察，再次带来了一款令人瞩目的创新产品，让我们一起来看看吧！

ROHM最新推出的30V耐压共源Nch MOSFET新产品“AW2K21”！这款产品封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻低至2.0mΩ（Typ.）。产品中的ROHM自有结构能够将通常垂直沟槽MOS结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面，并采用了WLCSP*3封装。WLCSP能够增加器件内部芯片面积的比例，从而降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗，还有助于支持大电流，使新产品能够以超小体积支持大功率快速充电。因此，这款兼具低导通电阻和超小体积的“AW2K21”产品有助于降低应用产品的功耗并节省空间。另外，新产品还可作为负载开关应用中的单向保护MOSFET使用，在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。

好消息不止于此，ROHM还在开发更小体积的1.2mm×1.2mm产品，未来将继续致力于提供更加节省空间、提升效率的解决方案，助力电子设备的小型化和节能化发展。对这款“AW2K21”感兴趣的朋友们，千万不要错过！快点击链接前往ROHM官网，了解更多详情吧！相信这款产品一定会为你的应用带来全新的体验，为实现可持续发展的社会贡献力量！

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