【R课堂】SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作（一）

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SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作（一）
SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路
LS（低边）侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压（VGS）带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的栅极驱动电路的寄生分量在内的等效电路基础上进行考量。

下图是最基本的栅极驱动电路和SiC MOSFET的等效电路。栅极驱动电路中包括栅极信号（VG）、SiC MOSFET内部的栅极线路内阻（RG_INT）、以及SiC MOSFET的封装的源极电感量（LSOURCE）、栅极电路局部产生的电感量（LTRACE）和外加栅极电阻（RG_INT）。

SiC MOSFET内部的栅极线路中也存在电感量，但由于它比LTRACE小，因此在此忽略不计。

【有奖问答】: 关于各电压和电流的极性，需要在等效电路图中，以______（IG）和漏极电流（ID）所示的方向为正，以______为基准来定义VGS和VDS。

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