ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”

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ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”
~功率半导体的仿真速度实现质的飞跃~

功率半导体设计圈的伙伴们注意啦！当系统能效成为电子设计的核心课题，功率半导体的损耗表现直接牵动着整机性能的神经～作为全球功率器件领域的创新先锋，ROHM带来技术突破——针对SiC MOSFET仿真场景的全新SPICE模型ROHM Level 3（L3）正式登场，一举攻克传统模型的痛点，为高效电路设计注入加速引擎！

在以往的设计中，ROHM推出的SiC MOSFET用SPICE模型ROHM Level 1（L1）凭借高精度特性复现能力，成为工程师们进行损耗分析的得力助手。但高精度背后也藏着隐忧——仿真收敛性难题与漫长的运算时间，常常让设计周期有所卡顿，急待更智能的解决方案！新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此，能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。

在追求能效与速度的电子设计赛道上，ROHM始终以技术创新为工程师们铺路搭桥。这次L3模型的登场，不仅是仿真效率的升级，更是推动SiC器件在新能源、高端工业等领域规模化应用的加速器！想解锁更快、更准的功率半导体仿真体验？点击链接，立即获取模型资源！

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linghz

新模型“ROHM Level 3（L3）”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。