盛夏六月，热情似火！近期，罗姆不断突破创新边界，一系列前沿产品重磅亮相。从适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET，到实现业界超低导通电阻的小型MOSFET，再到被SMA太阳能系统采用的内置新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块，以及让功率半导体仿真速度实现质的飞跃的新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，这些新品广泛应用于AI服务器、快速充电、太阳能系统等多个领域，凭借领先技术掀起行业讨论热潮。想知道这些新品究竟藏着哪些“黑科技”？别着急！小R为大家精心梳理、汇总并分享如下！在这个缤纷六月，快来参与趣味答题挑战，解锁新产品知识，丰厚奖品等你来赢~
新品一：震撼发布！100V功率MOSFET“RY7P250BM”——为AI服务器48V电源热插拔电路赋能！
ROHM新推出的100V耐压功率MOSFET“RY7P250BM”，专为AI服务器48V电源热插拔电路及工业设备电池保护电源设计。这款8×8mm规格的器件，以超宽SOA范围与超低导通电阻的双重优势，重新定义电源可靠性与效率标准：在48V工作电压下，10ms脉宽时SOA可达16A，1ms脉宽时更达50A，轻松应对传统MOSFET难以负荷的大电流热插拔场景；导通电阻仅1.86mΩ，较同类产品降低约18%，显著减少功率损耗与发热，助力服务器电源效率提升、冷却成本下降。
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＜应用示例＞
・AI（人工智能）服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路
・工业设备48V系统电源（叉车、电动工具、机器人、风扇电机等）
・AGV（自动导引车）等电池驱动的工业设备
・UPS、应急电源系统（电池备份单元）
新品二：业界突破！超小尺寸低阻MOSFET“AW2K21”——为快速充电开启高效紧凑新纪元！
ROHM新发布的30V耐压共源Nch MOSFET新品“AW2K21”，以2.0mm×2.0mm超迷你封装与2.0mΩ超低导通电阻（Typ.）刷新业界标准，专为快速充电及双向供电电路而生。该器件采用ROHM独创结构，将传统垂直沟槽MOS的背面漏极引脚优化至表面，搭配WLCSP封装提升芯片面积占比，在极小体积内实现单位面积导通电阻的大幅降低。其内置双MOSFET的创新设计，仅需1枚器件即可满足双向供电电路的保护需求，较传统方案减少约81%器件面积，导通电阻降低33%；对比同尺寸GaN HEMT，导通电阻更降约50%，完美平衡大电流支持能力与功率损耗控制。
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<应用示例>
・智能手机 ・VR（Virtual Reality）眼镜 ・小型打印机
・平板电脑 ・可穿戴设备 ・液晶显示器
・笔记本电脑 ・掌上游戏机 ・无人机
此外，新产品还适用于其他配备快速充电功能的小型设备等众多应用。
新品三：强强联合！罗姆2kV SiC MOSFET加持赛米控丹佛斯模块，助力SMA太阳能系统效能升级！
ROHM与赛米控丹佛斯联合推出的SEMITRANS®20功率模块，凭借内置罗姆新型2kV耐压SiC MOSFET的核心优势，成为SMA Solar Technology AG新一代太阳能系统“Sunny Central FLEX”的关键组件。该模块专为1500V DC链路设计，以抗宇宙射线的高可靠性特性满足太阳能领域严苛环境要求，其独创的内置栅极电阻技术简化了模块并联驱动设计，为大功率转换器提供高效解决方案。赛米控丹佛斯的SEMITRANS®20模块依托高速开关性能与大功率适配能力，助力“SMA Sunny Central FLEX”模块化平台提升大规模太阳能发电及储能系统的电网效率与稳定性。
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新品四：重磅发布！！ROHM新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”——功率半导体仿真的革新者！
ROHM推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，实现了功率半导体仿真速度的飞跃。ROHM以往的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”虽能满足高精度仿真需求，但存在仿真收敛性问题和运算时间长的弊端。而新模型“ROHM Level 3（L3）”采用简化模型公式，在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较L1模型缩短约50%，可高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。
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＜相关信息＞
- 白皮书
- 设计模型支持页面
- SiC MOSFET技术文档
活动时间：
2025年6月16日 - 6月30日
活动形式：
围绕上方所给到的视频、文档等资料，小R每天出题，每题两次回答机会。用户回帖答题，全部回答正确即可获得30罗姆豆/天（罗姆豆有何用？？先去转盘看一看）及10 ROHM金币/天（ROHM金币有何用？？先去积分商城看一看）。同时活动结束将会从每天坚持回答问题且连续回答正确的小伙伴中随机抽出5人送出精美礼品1份。周末问题不计算在内，但最终会从所有问题回答正确的小伙伴中抽出1人送出彩蛋奖品1份。
中奖的5位小伙伴为l64481000、ufoer11、eefocus_3924226、lxl666、zjk103、中彩蛋奖品的小伙伴为sumoon_yao。将会分别发放一份精美实物/积分礼品~
转盘奖品展示：
一等奖：华为无线蓝牙耳机x 1 二等奖：咖啡杯 x 2
三等奖：绿联快充魔盒x 3 四等奖：得力LED放大镜 x3
五等奖：10积分x 10 六等奖：8罗姆金币(数量不限)
七等奖：6罗姆豆（数量不限）
温馨提示：
*用户必须答对才可获得罗姆豆和金币，每人每天有2次答题机会，必须当天参与答题才可兑奖，否则不发放当日奖励哦~（补答无效）
*实物奖品可换成等值FAFULI积分，活动解释权归ROHM社区所有，领奖请联系小R（论坛私信或者联系QQ：1549319930）
每日问题：
6月16日问题：关于罗姆推出的30V耐压共源Nch MOSFET新产品“AW2K21”，______封装能够增加器件内部芯片面积的比例，从而降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗，还有助于支持大电流，使新产品能够以超小体积支持大功率快速充电。
6月17日问题：关于适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET，新产品同时实现了更宽SOA范围（条件：VDS=______、Pw=______）和更低导通电阻（RDS(on)），由此既可确保热插拔（电源启动）工作时的更高产品可靠性，又能优化电源效率，降低功耗并减少发热量。
6月18日问题：罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为______ DC链路实现简单且高效的转换器电路而设计的。该产品以高可靠性为目标进行开发，具备______，因此能够满足太阳能发电领域严苛的环境条件和对延长转换器使用寿命的需求。
6月19日问题：新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”能够高精度且快速地执行电路整体的______，从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与______的效率。
6月20日问题：如图所示，普通 MOSFET 产品充放电路里，两枚总元器件面积达______；ROHM 新产品「AW2K21」元器件面积是______，体现出明显的小型化优势。
6月21-22日问题：赛米控丹佛斯的SEMITRANS® 20是为大功率应用和高速开关工作设计的，属于下一代大型转换器用的功率模块的代表产品。并且，内置罗姆______的SEMITRANS® 20是SMA Sunny Central FLEX的关键组件。
6月23日问题：新产品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻，有助于降低数据中心的功率损耗、______，从而提升服务器的可靠性并实现节能。
6月24日问题：如图所示：在脉宽 10ms 的 SOA 性能对比里，新产品（DFN8080 - 8S）的 SOA 值是______A ，该值与以往产品（TO - 263AB）SOA 值的倍数关系约为______倍。
6月25日问题：关于30V耐压共源Nch MOSFET新产品“AW2K21”，在对小型设备的双向供电电路进行比较后发现，使用普通产品需要2枚______的产品，而使用新产品仅需1枚2.0mm×2.0mm的产品即可，器件面积可减少约81％，导通电阻可降低约_____。
6月26日问题：以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通过提高每种特性的______，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在______问题和运算时间较长等问题，亟待改进。
6月27日问题：AI服务器的热插拔电路，与传统服务器相比需要更宽的______。ROHM的100V功率MOSFET新产品”RY7P250BM”的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A，实现业界超优性能，能够应对以往MOSFET难以支持的______。
6月28-29日问题：ROHM的100V功率MOSFET新产品“RY7P250BM”是具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更______，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ，而RY7P250BM的导通电阻则降低了约______——仅有1.86mΩ（条件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）
6月30日问题：如图所示，ROHM的100V功率MOSFET新产品仅需一枚器即可实现充放电的______，可使元器件面积减少约81%，助力需要快速充电的设备实现______。
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发表于 2025-6-16 10:00:00
发表于 2025-6-16 10:20:58
