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当给pn结元件施加正向电压时,空穴(正)和电子(负)向结点方向移动并结合。此时产生的多余能量会被转化为光能,从而实现发光。这种现象称为“复合发光”。
下面我们使用pn结的能带图来说明此时载流子的移动情况。(左)表示未对pn结施加偏压的状态,(右)表示对pn结施加正向偏压的状态。当施加正向电压时,pn结处的能量势垒高度降低,n型区中的多数载流子(电子)如图所示穿过能量势垒并移动到p型区,与p型区的多数载流子(空穴)复合。此时,多余的能量会以光的形式释放出来。
如图所示,导带和价带的能级存在差异,这种能量差称为“带隙”。另外,电子越过带隙从导带迁移到价带称为“电子跃迁”。也就是说,当电子从能量较高的导带跃迁到能量较低的价带并与空穴复合时,相当于其带隙的能量将以光子(光)的形式被释放出来。这就是半导体发光的原理。
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