【R课堂】SiC-SBD和Si-PN结二极管

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SiC-SBD和Si-PN结二极管

通过Si二极管来应对SBD以上的耐压的是PN结二极管（称为“PND”）。下图为Si-PN二极管的结构。SBD是仅电子移动，电流流动，而PN结二极管是通过电子和空穴（孔）使电流流动。通过在n-层积蓄少数载流子的空穴使阻值下降，从而同时实现高耐压和低阻值，但关断的速度会变慢。

右上图表示Si的SBD、PND、FRD和SiC-SBD耐压的覆盖范围。可以看出SiC-SBD基本覆盖了PND/FRD的耐压范围。SiC-SBD可同时实现高速性和高耐压，与PND/FRD相比Err（恢复损耗）显著降低，开关频率也可提高，因此可使用小型变压器和电容器，有助于设备小型化。

以下是1200V耐压SiC-SBD技术规格的一部分。后续将针对主要特性进行介绍。

【有奖问答】: 尽管FRD（快速恢复二极管）利用______提高了速度，但尽管如此，trr（反向恢复时间）特性等劣于SBD。因此，______是高耐压Si PN结二极管的重大研究项目。此时，开关电源无法对应高速的开关频率也是课题之一。

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