在线时间4515 小时
UID3495052
ROHM金币464426
注册时间2018-7-17
该用户从未签到
管理员
- 最后登录
- 2025-12-6
|
激光二极管(Laser Diode)也被称为“半导体激光器”。“激光”是“Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation”的首字母缩写,意为“受激辐射光放大”。
历史与发展
激光二极管的历史始于1917年,当时阿尔伯特·爱因斯坦首次将“受激辐射”现象形成理论,奠定了所有激光技术的基础。后来,德国人约翰·冯·诺依曼于1953年在一份未发表的手稿中描述了半导体激光器的概念。1957年,美国人戈登·古尔德提出可以利用受激辐射现象来放大光,并将其命名为“LASER(受激辐射光放大)”。就这样,随着各国科学家对激光器的研究不断取得进展,1962年同质结结构的砷化镓(GaAs)半导体激光器问世,相干光技术得到实际验证,同年,可见光振荡也获得成功。然而,这个时代的半导体激光器存在室温下连续振荡方面的课题。1970年,双异质结构的发现使得室温下的连续振荡成为可能。1970年代之后,半导体激光器技术迅速发展,并被广泛应用于各个领域。
|
|