【ROHM官方FAQ分享】MOSFET

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1、问：规格书中的额定功率如何计算？
答：额定功率是是功率器件在特定条件下（主要是壳温Tc）能够承受并耗散掉的最大热量。
根据Rthj-c（结-壳热阻）×Pd（功率耗散）＝ΔTj（温升），可反推出器件的Pd。

2、问：同步整流用的MOS需要关注哪些参数？
答：首先是耐压、电流、导通电阻等最关键的参数，在低Rds(on)的前提下，追求更优的寄生参数和体二极管反向恢复性能（trr、Qrr等），以提升效率。

3、问：罗姆的低压MOSFET采用的是什么工艺？有什么优点？
答：采用目前主流的SGT工艺，相较于以往的沟槽型MOSFET，SGT MOS拥有更低的导通电阻、更低的开关损耗与更高的功率密度。

4、问：封装DFN2020Y7LSAA和DFN2020Y8LSAA有什么区别？
答：Y8采用的是通用的引脚布局，和市面上同封装的产品有良好的兼容性。因为封装尺寸非常小，Y7通过改引脚布局可有效防止漏极-源极之间发生短路，实现更安全的设计。

5、问：请告知RD3L03BATTL1的漏源击穿电压的最大值。
答：漏源间的击穿电压为60V。

6、问：关于FET寄生二极管的VF-IF特性，例如当FET导通时流过10A电流，关断后电流开始通过二极管流动时，是否应以10A时的特性来确认其VF？还是因为此时电流并未流经二极管本身，因此只需确认接近0A时的特性即可？
答：根据电路情况，例如当FET导通时，从源极流向漏极的电流为10A，此时若FET关断，则会有10A电流流过二极管。

7、问：查看RUM001L02T2CL的内部电路图时，发现栅极接有电阻，想知道该电阻的阻值。
答：约为1.2kΩ。但此为非保证项目，存在一定的偏差。

8、问：关于R6007RND3TL1在可靠性试验中的高温反向偏压试验条件，是在150℃的保存温度环境下施加反向偏压。请问这种情况下结温（Tj）是否会超过150℃？还是说由于反向偏压下没有电流流过，因此不会产生发热，所以不存在问题？
答：通常情况下，由于仅流过微弱电流，因此判断不会产生发热。

9、问：在晶体管/MOSFET中，如何确认其实际使用上是否存在问题？
答：请确认此处的资料

10、问：产品标签上印有两个不同的罗姆型号，分别代表什么？
答：以下摘自罗姆官网本产品页面底部“包装规格”中的标签说明图片。
标签中所示的①厂商料号，②为公司内部管理料号。

11、问：MOSFET RZM002P02T2L与RZM002P02GT2L 的区别是什么？
答：区别如下所示。
RZM002P02T2L：含有卤素
RZM002P02GT2L ：无卤素

12、问：什么是MOSFET的驱动电压？它与阈值电压有什么区别？
答：以RS6G122CH为例进行说明。
驱动电压是指MOSFET完全导通所需的电压，意味着其进入具有足够低导通电阻的状态。
栅极阈值电压指MOSFET开始导通所需的最小电压。
因此通常驱动电压>栅极阈值电压。

摘自RS6G122CH产品页面


13、问：MOSFET数据手册中的最大安全工作区图，在FR4或CEM3基板的情况下是否会有所不同？
答：没有区别。
严格来说，数据表中记载的曲线是陶瓷基板的数值。
但在使用安全工作区进行评估时，通常会假设短脉冲波形，因此不受基板影响，即使使用FR4或CEM3基板也认为是相同的，这样理解没有问题。?
■ 例：RQ5E035BN (这里摘自规格书)


14、问：环境数据在哪里？
答：您可以查看产品页面。（例如： 1SS355VM）

点击“1ss355vm”产品页面上的“封装和质量数据”。


15、问：RSF010P05TL的Vgss绝对最大额定值为20V（Ta=25℃），那么当Ta=50℃时该值是多少？
答：Vgss不存在耐压的温度依赖性，因此在20℃时与25℃时相同，均为20V。

16、问：是否有关于晶体管和MOSFET安全工作区(SOA)的温度降额的资料？
答：应用笔记中的下图(图 2.容许损耗比率)。
该说明适用于本公司所有双极型晶体管/MOSFET产品。
※ 应用笔记亦登载于本产品ROHM网页底部的“技术文章”栏目。


17、问：我们正在寻找二极管和MOSFET的裸芯片。能否进行询价和购买？
答：关于二极管及MOSFET裸片/晶圆的销售事宜
我们需在确认具体项目细节后推进，且该类产品仅面向通过本公司销售窗口直售的客户
故无法通过本网站予以答复。

18、问：关于耐久时间，Si 和 SJ 的加速度计数是否相同？ 还是有所不同？
答：与Si的平面型MOSFET具有相同的加速系数。

19、问：对于功率 MOSFET RQ3E180GN，Idrp（漏极反向电流（脉冲））是否为规格书中的源极电流（脉冲）"72 A "？
答：Idrp=72A 是正确的。

20、问：如果将 MOSFET "RQ3P300BH "用于 24V 输入 外置MOSFET 降压电源电路的上端（VGS 驱动电压 = 7V），是否符合额定值？ 绝对值 24 V + 7 V = 31 V施加到VGSS，但只有 7 V 的差值被视为施加在源参考电压上。
答：不符合额定值；VGSS 保证为 ±20 V。栅极到源极的电压不得超过保证额定值，因为栅极和源极之间施加的任何更高电压都会导致击穿。

21、问：US6M1-TR 规格的单通道类似产品是什么？
答：具有类似特性的产品如下。Nch：RQ5E025N

22、问：请说明工作时元件温度的计算方法。
答：罗姆网站有记载，请通过以下URL进行确认。结温度（元件温度的计算方法）|什么是晶体管？|电子小知识|罗姆公司- ROHM

23、问：在确定 MOSFET 的功耗时是否有注意事项？
答：请参照应用笔记计算功耗时的注意事项 静态动作篇（PDF）。

24、问：请介绍产品的标识信息
答：请查看ROHM网站上每个产品页面底部 "封装信息"部分的标记规格说明。
[设计资源] → [封装和品质数据] → [封装信息：标识规格说明] 对于没有标识规格说明的产品，请使用此表格与我们联系。

25、问：短脉冲的 ASO 数据会发生什么变化？
答：脉冲宽度比100us曲线宽，因此请参考100us线。
如果没有，请另行联系我们。

26、问：请介绍一下产品的内部构造。
答：内部结构图可在ROHM网站每个产品页面底部的 "封装信息 "部分找到。
[设计资源] → [封装和品质数据] → [封装信息] 对于没有内部结构图的产品，请使用此表格与我们联系。

27、问：关于与铅有关的问题，我们知道，如果欧盟的豁免不延期，铅的使用将被禁止，ROHM 和市场正在考虑采取哪些措施？ 欧盟与铅有关的豁免已多次延期，但请提供最新延期的到期时间。网上有各种信息，我们发现它规定到 2024 年 7 月。如果再延长，那么目前的情况就没有问题，但如果最后期限是 2024年 7 月，那么距离最后期限还有 6 个月，有无对策？
答：请使用联系表格进行咨询。

28、问：电容和栅极电荷是否会随温度波动？
答：电容和栅极电荷主要是由栅极氧化膜厚度和氧化膜的介电常数决定的。这些参数不随温度变化，因此一般与温度无关。

29、问：电容和栅极电荷的最大值和最小值是多少？
答：考虑电容值的两倍或一半，以及栅极电荷量的 1.5 倍。

30、问：焊接条件文档的“回流焊接推荐条件”项目中记载高温保持时间为20 ~ 30s，而“焊接耐热条件”项目中记载高温保持时间为20 ~ 40s。两者不一致的原因是什么？
答：这是因为 "推荐回流焊接条件 "从安装角度描述了产品的安装条件，而 "焊接耐热条件 "则从产品耐热角度描述了产品的条件。

31、问：终端处理中使用的电镀是亮光电镀还是哑光电镀？
答：哑光电镀

32、问：如果使用时的温度高于 25°C，SOA 是否会发生变化？
答：是。需要按温度降额。
更多信息，请参阅应用说明安全工作区 (SOA) 的温度降额 (PDF)。

33、问：符合车载ESD对应标准吗？
答：如AEC-Q101中规定的那样，在确认产品实力的基础上，实施等级划分。

34、问：对使用环境湿度是否有限制？
答：环境工作湿度不受限制。请在不会产生结露的范围内使用。

35、问：回流焊最多可以进行多少次？
答：2次

36、问：有没有时间和电流额定值（IDP， ISP）图表？
答：不提供时间和额定电流（IDP、ISP）图表。
根据元件施加的功率以及热阻，确认产品的Tj没有超额后使用。

37、问：小信号晶体管产品在安装前是否需要烘烤处理？
答：小信号晶体管产品湿敏等级为 MSL1，因此基本上不需要在安装前进行烘烤处理。

38、问：带端子的PKG端子是否全部覆盖电镀？
答：由于端子是在电镀后切割的，因此切割截面部分没有电镀。其他部分则都覆盖电镀。

39、问：底部电极 PKG（VML/DFN PKG）可以流动焊安装吗？
答：建议采用回流焊安装，因为流动焊安装不允许安装焊料在端子和焊盘上转动。

40、问：寻找低电压驱动产品时，看规格表和图表等的哪里可以知道是几V驱动的呢？
答：规格书中 RDS（on）部分所列测量条件的 VGS 为驱动电压。

41、问：为什么 SOA 会因安装条件发生变化？
答：这是因为电路板的散热性和焊料量会改变器件散热性。

42、问：如何计算结温？
答：请参阅ROHM网站电子小知识元件温度计算方法。

43、问：流动焊最多可以进行多少次？
答：1 次

44、问：与脉冲相比，RDS （on）在直流时的值是多少？
答：基本上，直流和脉冲的 RDS（ON）保持不变。不过，在直流情况下，发热会产生影响，应根据应用条件分别确认。

45、问：最大源电流值短时间内超过了该场效应晶体管的最大额定电流，这是否有问题？
答：不能保证在超过额定电流的条件下使用，即使是短时间使用。

46、问：流动焊接可以用于安装吗？
答：对于晶体管，底部电极无引线封装不支持流动焊接。所有其他有引线表面贴装类型均可进行流动焊接。有关概况，请参阅 ROHM 的建议条件。

47、问：在考虑MOSFET功耗时，导通电阻损耗和开关损耗哪个占主导地位？
答：这取决于设备的开关频率。频率越高，开关损耗越大。