在电子设备广泛应用的时代，静电放电（ESD）对电路构成严重威胁。TVS 二极管作为关键的电路保护器件，能有效应对 ESD。它分为单向和双向，基于雪崩击穿效应工作，响应迅速。选择时需考量击穿电压、反向漏电流、箝位电压和峰值脉冲功率等参数。在网络、视频线路等场景应用广泛，硬件设计时布局也很关键，对保障电子设备稳定运行意义重大。
碳化硅肖特基二极管凭借独特优势崭露头角。其基于碳化硅材料，具宽禁带、高击穿场强与导热率等特性。拥有低导通电阻、高击穿电压、耐高温、抗辐照等优点，在多领域广泛应用，以优异反向恢复特性等，为电力领域带来高效与可靠变革。
在功率半导体领域，SiC 肖特基势垒二极管凭借独特优势崭露头角。它基于碳化硅材料，相较传统硅材料，具备高绝缘击穿场强、宽禁带与高热导率等特性。这使其拥有高速开关、高耐压、出色恢复特性等优势，可提升设备效率、缩小电路规模。但它也存在抗浪涌电流性能较弱的不足。随着第三代产品推出，抗浪涌电流、漏电流等性能得以优化，进一步拓展应用空间，推动该技术迈向新高度。
DC/DC 转换器基于直流电压转换原理工作，高效稳定的电压调节特性关键。制造工艺与电路设计优化结构与性能。多种类型满足不同设备需求，如降压型适需低电压的芯片电路。在移动设备、电脑主板等广泛应用，在各设备中通过精准转换电压实现稳定供电，推动电子技术发展。
存储器基于二进制存储原理工作，存储容量与存取时间特性关键。制造工艺优化结构与性能。多种类型满足不同设备需求，如只读型适系统启动程序存储。在计算机、手机等设备广泛应用，在各设备中通过存储与读取数据实现特定功能，推动数字技术发展。
