在汽车加速迈向电动化、智能化、网联化的进程中，IPD 凭借其高度集成的功率开关、接口控制电路、多元保护机制及自我诊断功能，以低功耗、高可靠性优势，为汽车各负载系统提供全方位保障，成为推动汽车行业安全、智能发展的重要技术支撑。
在新能源汽车、光伏发电及工业电源等领域蓬勃发展的背景下，功率半导体器件性能至关重要，SiC MOSFET凭借碳化硅材料高禁带宽度、高击穿电场等特性与优化器件结构，攻克传统硅基器件拖尾电流难题，实现高速运行与低损耗。
齐纳二极管作为特殊半导体二极管，凭借独特的反向击穿可逆特性，在电子电路稳压、限幅、保护及基准电压供给等领域发挥关键作用。其工作原理基于齐纳击穿与雪崩击穿机制，通过伏安特性曲线呈现稳压特性，应用时需关注功率、温度及动态电阻等要素。
升压型DC-DC转换器作为现代电子设备电源管理的核心组件，通过高效开关调控与储能元件协同工作，将输入低电压提升至稳定高电压输出，其转换效率可达80%-95%，显著优化便携设备的续航与性能。
中国上海，2025年4月22日——全球知名半导体制造商ROHM今日宣布，将于2025年5月6日至8日参加在德国纽伦堡举办的PCIM展览会暨研讨会。该展会是电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会。罗姆将在9号馆304展位展示与知名合作伙伴的参考项目及其封装设计与评估板的技术演进。
