【新品介绍】小型MOSFET “AW2K21”助力大功率快速充电应用!

565 观看 上传于 2025-05-19

近年来,为缩短充电时间,智能手机等配备大容量电池的小型设备中,配备快速充电功能的产品日益增多。这类设备需要具备双向保护功能以防止在非供电状态时电流反向流入外围IC等器件。此外,为了在快速充电时支持大电流,智能手机等制造商对MOSFET有严格的规格要求,如最大电流为20A、击穿电压为28V至30V、导通电阻为5mΩ以下等。然而,普通MOSFET产品若要满足这些要求,就需要使用2枚导通电阻较低的大体积MOSFET,而这会导致安装面积增加。为了解决这个问题,罗姆开发出采用超小型封装并具备低导通电阻的MOSFET“AW2K21”,非常适用于大功率快速充电应用。了解更多详情,请点击:https://url.eefocus.com/3r2q(复制链接至浏览器即可查看)

继续阅读
快速恢复二极管在开关电源中的应用与选型技巧

快速恢复二极管凭借短反向恢复时间,适配开关电源高频工况,减少反向恢复电流损耗与电磁干扰。在AC/DC的PFC电路、DC/DC的Flyback拓扑等中应用广泛,选型需权衡反向恢复时间、正向压降、反向耐压和额定正向电流,以保障开关电源高效稳定。

IGBT原理探究:如何实现高效功率转换与控制

IGBT融合MOSFET电压驱动便捷性与BJT低导通损耗特性,其结构含P型衬底、N型漂移区等,栅极电压控制工作状态。导通时栅极超阈值电压形成导电沟道,电子与空穴作用使器件导通,电导调制效应降损耗;关断时栅压低于阈值,载流子处理影响关断速度与损耗。

车载MOSFET:新能源汽车功率器件的“核心引擎”

车载MOSFET作为新能源汽车功率器件核心,以电压控制栅极调控漏源极导电通道,具高频开关特性。分为硅基与碳化硅两类,前者凭成熟工艺占中低压领域,后者依宽禁带特性适高压场景,在电机驱动、OBC及DC/DC转换中通过优化开关与导通损耗提升系统效率。

汽车电子中的PIN二极管应用:从传感器到EMI防护

PIN二极管通过在P、N型半导体间插入本征层,改变电容与载流子存储特性。在汽车电子中,于传感器领域借光电、压阻效应实现信号转换,在EMI防护中利用瞬态响应抑制干扰,还在电源管理、信号处理等环节发挥关键作用。

线性稳压器VS开关稳压器:优缺点对比与应用场景抉择

线性稳压器基于串联调整原理,通过线性调整元件调节输出电压,输出纹波低但效率低、需散热,仅能降压。开关稳压器采用高频开关模式,靠功率开关管等元件转换能量,效率高、功能多,但纹波与EMI问题突出,瞬态响应慢。